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| 選擇高純水標(biāo)準(zhǔn)的好處 |
| 點(diǎn)擊次數(shù)：1715 更新時(shí)間：2015-03-19 |
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選擇高純水標(biāo)準(zhǔn)的好處：
1 主題內(nèi)容與通用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)給出了電力半導(dǎo)體器件工藝用高純水(以下稱高純水)的級(jí)別、技術(shù)要求、測(cè)試方法和規(guī)則。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于去離子處理后的高純水。
2 引用標(biāo)準(zhǔn)
GB11446電子級(jí)水及其檢測(cè)方法
3術(shù)語(yǔ)
3．1 電導(dǎo)率electrical conductivityctricalconduc2ivity
在規(guī)定溫度下，1cm3水溶液兩相對(duì)面之間測(cè)得的電阻值的倒數(shù)。電導(dǎo)率通常以μS/cm為單位。
水的理論電導(dǎo)率為0.0548μs/cm(25℃時(shí))。
3．2電阻率 resistivity
電導(dǎo)率之倒數(shù)。純水的理論電阻率為18.3MΩ.cm(25℃時(shí))。溫度升高時(shí)電阻率下降。
3．3顆粒性物質(zhì)granular sulbstance
除氣體以外，以非液態(tài)形式分散在水中，并形成非均勻相混合物的物質(zhì)。
3．4總有機(jī)碳(TOC)total organic carbon
水中以各種有機(jī)物形式存在的碳的總量。包括易被—般強(qiáng)氧化劑氧化的有機(jī)物和需用特殊化的有機(jī)物。
3．5總固體 total solid
水樣蒸發(fā)、烘干后殘留的固總量。
3. 6全硅 total silicon
水中可溶性硅和以二氧化硅膠體狀態(tài)存在的硅的總量。全硅和可溶性硅之差即叫為膠體硅。
3．7高純水high-pure water, ultrapure water
電阻率在5MΩ·cm以上，各種形式存在的物質(zhì)含量有一定規(guī)定限制的很純凈水
3．8原水raw watcr
純化處理之前的水。常用的原水將自來(lái)水、井水、河水等。
3．9終端 terminal。
高純水生產(chǎn)流程中經(jīng)過各道沖化工藝后，水的出口使用地點(diǎn)。可分別稱為制水終端和用水
3．10微量micro-amount
試樣量在1mg左右。
3．11 痕量 trace amount
試樣量在1μg左右。
3．12百萬(wàn)分之一(ppm) part per million
重量比的量，相當(dāng)于每百萬(wàn)重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)。在水質(zhì)分析中，一殷也認(rèn)為相當(dāng)
每升水樣含雜質(zhì)的毫克數(shù)(mg／L)。
3．13十億分之一(ppb)part per billion
重量比的單位，相當(dāng)于每十億重量單位重量的溶液中含一單位重量的溶質(zhì)，在水質(zhì)分折中，一般
認(rèn)為相當(dāng)于短升水樣含雜質(zhì)的微克數(shù)(μg／L)。
4高純水的級(jí)別
4．1高純水可分為電子級(jí)高純水和普通高純水，分別用符號(hào)EH和pH標(biāo)志。
4. 2電子級(jí)高純水
4．2．1在制造工藝中使用電子級(jí)高純水的電力半導(dǎo)體器件有如下特點(diǎn)：
a．具有精細(xì)圖形結(jié)構(gòu)；
b．對(duì)器件表面有特殊要求；
c．工藝對(duì)水質(zhì)有特定的嚴(yán)格要求。
4．2．2電子級(jí)高純水分為兩個(gè)級(jí)別：特級(jí)和I級(jí)。它們的標(biāo)志分別是：
特級(jí)電子級(jí)高純水：EH—T
一級(jí)電子級(jí)高純水：EH—1
4．3普通高純水
4．3．1普通高純水用于一般電力半導(dǎo)體器件的制造工藝中。
4．3．2普雙高純水分為三個(gè)級(jí)別：Ⅰ級(jí)、Ⅱ級(jí)和Ⅲ級(jí)。它們的標(biāo)志分別是：
I級(jí)普通高純水：pH—Ⅰ
x級(jí)普通高純水：PH—Ⅱ
m級(jí)普通高純水：pH—Ⅲ
4. 4電阻率低于5MΩ·cm的水不能稱為高純水。
5技術(shù)要求
5．1電子級(jí)高純水
5．1．1電子級(jí)高純水應(yīng)考核四項(xiàng)內(nèi)容：
a. 水中自由離子濃度(主要影響電阻率)；
b．水中懸浮微粒的數(shù)量和大?。?br />C. 水中有機(jī)物總量；
d. 水中細(xì)菌微生物狀況。
5. 1. 2電子級(jí)高純水的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)由表1給出。 |
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